aterramento

4 – SISTEMAS DE ATERRAMENTO
4.1 – Resistência de “terra”
Baixa frequência – considerar o solo resistivo
CONEXÃO À TERRA
Alta frequência – considerar capacitância indutância e resistência
Em alta frequência inclui-se as áreas de telecomunicações e descargas atmosféricas A figura abaixo ilustra o efeito da intensidade de corrente no valor da
“impedância impulsiva” (relação entre os valores de pico das ondas de tensão e corrente) de um aterramento.

A quantificação do valor da resistência de aterramento é o valor da tensão resultante no eletrodo e o valor da corrente injetada no solo através do mesmo. RT  VT / I

Componentes principais da resistência de aterramento:
 Resistência própria do eletrodo (valor baixo)
 Resistência de contato entre eletrodo e terra adjacente ao mesmo
(desprezível se o eletrodo estiver livre de tintas óleos gorduras etc.)
 Resistência da terra circunvizinha (componente fundamental)
Considerando um eletrodo de formato hemisférico, recorre-se a uma estilização que aborda de forma simplificada a constituição da resistência de aterramento.

Cada fatia de solo apresenta um certo valor de resistência.


Raterramento   R fatias
1

Como a espessura de cada fatia é a mesma, quanto mais próxima do eletrodo estiver a fatia, maior será a sua resistência. As fatias mais amplas e mais distantes tem resistência desprezível.
A corrente I que se distribui radialmente e que atravessa cada fatia (em direção ao infinito), é a mesma.

O mesmo tipo de estilização é válido para outras configurações de eletrodos. É sabido que o potencial promovido em um ponto p qualquer do solo a uma distância r da fonte produzida por um eletrodo semi-hemisférico é dado pela seguinte expressão:
Vr 


I
2 r

Quando se considera o ponto p sobre a superfície do eletrodo pode-se determinar a elevação de potencial do eletrodo em relação ao infinito devido ao fluxo de corrente I.

Veletrodo 


2 reletrodo

I