ANALISE DE CIRCUITOS

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Teoria dos Circuitos e Fundamentos de Electrónica

Análise de Circuitos com Díodos
Teresa Mendes de Almeida
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DEEC
Área Científica de Electrónica

© T.M.Almeida
ACElectrónica

IST-DEECMaio de 2008

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Matéria
Semicondutores
Díodo de junção PN
Característica V-I
Modelos lineares por troços díodo ideal díodo ideal com fonte de tensão díodo ideal com fonte de tensão e resistência

Análise de circuitos com díodos
Circuitos lógicos
Circuitos limitadores
Díodo Zener
Circuitos rectificadores
Exemplos de aplicação
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IST-DEEC-ACElectrónica

TCFE Análise de Circuitos com Díodos

Maio de 2008

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Semicondutores
Dispositivos electrónicos modernos circuitos integrados, díodos, transístores produzidos com materiais semicondutores
Silício (Si) - o mais utilizado
Germânio (Ge)

Material Semicondutor tem propriedades eléctricas especiais mecanismo de circulação das cargas não pode ser explicado como nos condutores/isoladores não é um bom condutor de corrente eléctrica (como o Cu ou o Al) não é um isolante (como a borracha ou o plástico) capacidade de formar cristais com propriedades eléctricas especiais cada átomo partilha 4 electrões de valência com átomos vizinhos estrutura entrelaçada (ligações covalentes) muito estável → cristal corrente eléctrica: movimento de electrões e de lacunas
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Semicondutores
Intrínseco (puro) lacunas - criadas por electrões que se libertam das ligações covalentes nº de lacunas = nº electrões livres ni = pi
Exemplo (TA)
Si: ni = pi = 1,5× 1019 portadores/m3
1cm3 : 1022 átomos → 1012 átomos a mais do que portadores
Ge: ni = pi = 2,4× 1019 portadores/m3 condutor de Cu: 8,4 × 1028 portadores/m3

Extrínseco (impuro) equilíbrio entre nº de portadores é deliberadamente alterado introduzidos átomos de impurezas no cristal (grupos III e V)