Amplificador jfet de fonte-comum

Esquema de montagem do amplificador jFET de fonte-comum.

Figura [ 1 ]

Dados obtidos

| Experimental | Simulado | VD | 10,21 V | 10.07V | VS | 1,04 V | 1.106V | VGS | -1,03 V | -1.1V | VG | 0,0 V | 0.01V |
Tabela [ 1 ]- Comparação entre dados experimentais e dados simulados

Na tabela 1 temos os dados experimentais e simulados sem a montagem da resistência RL e a fonte VDD a 12 V.

Como o simulador usado não contém na lista de material o transístor jFET, de canal n BF245A, substituiu-se por um transístor jFET de canal n 2N4340, visto as suas características serem equivalentes e os valores da simulação não variam muito com os valores experimentais.

Com os valores de Rs (2,68K) e de Vs obtemos os seguintes ID através da seguinte expressão:
V=R×I⇔I=VR
ID (experimental):
ID=VS(exp.)RS=1,04 2680=3,88×10-3A=3,88mA
ID (simulado):
ID =Vs(sim.)RS=1.1062680= 4,12×10-3 A=4,12mA

Ao aplicar uma onda sinusoidal de 500mVp-p e com frequência de 1kHz obtemos a seguinte onda de entrada:

Imagem [ 1 ]

Imagem [ 2 ] - escala de tempo e tensão da img1
Com Vin= 500 mVp-p e f =1T=10.001=1000 Hz=1 KHz, tendo em conta a escala de tempo e de tensão na figura2.

Ligando o canal 1 do osciloscópio à entrada do sinal (comum a C1,RG e a porta do jFET) e o canal 2 à saída do amplificador.
A relação do sinal de entrada/saída com/sem a resistência de carga (RL) obtém-se as seguintes imagens:
Experimental:
Sinal de entrada/saída sem RL:

Imagem [ 3 ] {onda de menor amplitude (Vin) e onda de grande amplitude (Vout)}
Sinal de entrada/saída com RL:

Imagem [ 4 ] {onda de menor amplitude (Vin) e onda de grande amplitude (Vout)}

Imagem [ 5 ] - escala de tensão da inagem1 e 2
Nota: a escala de tensão é a mesma na imagem 1 e 2 e a frequência é de 1kHZ.
Simulado:
Sinal de entrada/saída sem RL: Imagem [ 6 ] Frequência Onda de saída (Vout) Onda de entrada (Vin)
Sinal de entrada/saída sem