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4502 palavras 19 páginas
Universidade Federal do Piauí
Centro de Tecnologia
Curso de Engenharia Elétrica

DISPOSITIVOS
ELETRÔNICOS
O Diodo Semicondutor
- Parte II -

Prof. Marcos Zurita zurita@ufpi.edu.br www.ufpi.br/zurita

Teresina - 2012

Sumário







1. Tempo de Recuperação Reversa
2. Resistência do Diodo
3. Modelagem do Diodo (Circuitos Equivalentes)
4. Tipos Especiais de Diodo
5. Aplicações
Bibliografia

Dispositivos Eletrônicos – Prof. Marcos Zurita

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1. Tempo de Recuperação
Reversa

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Tempo de Recuperação Reversa




Uma junção pn diretamente polarizada possui uma grande quantidade de portadores minoritários tanto no lado n quanto no lado p:
● lacunas na região n difundidas da região p.
● elétrons-livres na região p difundidos da região n.
O que ocorreria se a tensão de polarização (VD) fosse subitamente invertida?
● Um diodo ideal responderia
- +
- + mudando imediatamente do
- +
- + estado de condução para o
- +
- + de não condução. p n
Portadores minoritários em excesso

W

ID

ID
VD

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Tempo de Recuperação Reversa


Num diodo real, o grande número de portadores minoritários em cada região da junção fazem com que a corrente através do diodo seja simplesmente invertida.
● A corrente reversa permanecerá constante durante um período ts enquanto os port. minoritários voltam às suas regiões de origem.
● A partir de então a corrente decresce até o valor de Is.
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Tempo de Recuperação Reversa






Tempo de Armazenamento (ts): é o tempo necessário para que os portadores minoritários em excesso retornem às suas regiões de origem após uma súbita mudança da polarização direta para a reversa.
Durante o tempo de armazenamento o diodo comportase como um curto-circuito
(corrente = Ireversa).
Tempo de Transição (tt): é o

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