Exp 4 Caracter Sticasdo Transistor Bipolar

Roteiro-Relatório da Experiência No 4 “CARACTERÍSTICAS DO TRANSISTOR BIPOLAR” 1. COMPONENTES DA EQUIPE: ALUNOS NOTA 1 2 3 4 Prof.: Celso José Faria de Araújo 5 Data: ____/____/____ ___:___ hs 2. OBJETIVOS: 2.1. Levantar, experimentalmente, as características de entrada e saída de um transistor. 3. INTRODUÇÃO TEÓRICA: 3.1. Encapsulamento Um transistor é basicamente constituído de três camadas de materiais semicondutores (regiões), formando as junções NPN ou PNP. Essas junções recebem um encapsulamento adequado, conforme o tipo de aplicação e a ligação dos três terminais para conexões externas. A Figura 1 mostra alguns tipos de encapsulamentos conforme a faixa de potência. Figura 1 – Encapsulamento de Transistores (a) baixa (b) média e (c) alta potência. 3.2. Modos de Operação A Figura 2 mostra a estrutura simplificada para os transistor de junção bipolar, doravante chamado apenas de transistor. A estrutura consiste de três regiões de materiais semicondutores. Regiões de Emissor, Base e Coletor. Um terminal é conectado em cada uma das três regiões. Estes terminais são chamados Emissor (E), Base (B) e Coletor (C). Figura 2 – Estrutura (a) NPN e (b) PNP O transistor consiste de duas junções pn: a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base (JCB). Dependendo da condição de polarização (direta ou reversa) em cada uma dessas junções, diferentes modos de operação para o transistor são obtidas, como mostra a Tabela 1. MODO JEB JCB Corte Reversa Reversa Ativo

TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO UBERABA-MG 2014/2 LEONARDO CAMPOS ALVES – RA: 5123315 LUCAS ROBERTO DE MORAIS – RA: 5121207 SISTEMAS, INSTALAÇÕES E EQUIPAMENTOS ELETRÔNICOS E DE COMUNICAÇÃO I – PRÁTICA PRÁTICA 6 TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Trabalho embasado no conteúdo de aula iniciado no laboratório da UNIUBE e terminado em casa, sobre funcionamento dos Transistores em suas possíveis configurações. Referente ao curso de graduação…

descreve o experimento laboratorial de eletrônica, nível básico, sobre circuitos envolvendo circuitos TBJ. O Transistor Bipolar de Junção, TBJ, é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Coletor e Emissor), separadas por duas Junções p-n. Nesse experimento foi possível estudar o comportamento desse transistor a partir do circuito de polarização fixa e pelo circuito de polarização estável do emissor. Dessa forma, o experimento proporcionou…

[pic] INSTITUTO FEDERAL DE GOIÁS RELATÓRIO DE ELETRÔNICA - Experiências 06, 07 e 08 – FELIPE CÓ DE HOLANDA MARCOS SARAIVA LEAL CAIO DIAS INOCÊNCIO PAULO DINIZ Goiânia 2011 relatório de eletrônica analógica |FELIPE CÓ |Marcos Saraiva | | |felipemdd@hotmail.com |lealsaraiva@gmail.com | | |Caio Dias |Paulo Diniz | | |caioucg@hotmail.com …

...................................... 26 3. Relatório etapa 4 .................................................................................................................... 29 1. Polarização CC – TBJ Passo 1 (Individual) Realizar uma pesquisa detalhada sobre o funcionamento e curvas de operação do transistor bipolar, para os modelos: 1. Transistor bipolar tipo NPN. 2. Transistor bipolar tipo PNP. RESUMO SOBRE TRANSISTOR. TRANSISTOR BIPOLAR TIPO NPN…

SILVA Relatório de experiência com transistores 5 1 INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A Junção p-n entre a Base e o Emissor tem uma Tensão de Barreira (V 0) de 0,6 V, que é um parâmetro importante do TJB (BJT). Contrariamente ao Transístor de Efeito de Campo, TEC (FET), no qual a Corrente é produzida apenas por…

ACIONAMENTOS ELÉTRICOS I RELATÓRIO DE AULA PRÁTICA: MOTOR DE PASSO Equipe: J V L Curitiba 2013 lista de ABREVIATURAS, SIGLAS E SÍMBOLOS A – AMPÈRE CA - Corrente Alternada BC – Base Comum CC - Corrente Contínua CC – Coletor Comum EC – Emissor Comum Gi – Ganho de corrente Gv – Ganho de tensão IB – Corrente de Base IC…

elétrica ELETRÔNICA ANALÓGICA RELATÓRIO DE AULA PRÁTICA: Professor: Amilton Carlos Rattman Equipe: Luan Ronaldo Carrão Pedro Felipe Jean Machado Curitiba 2014 lista de SIGLAS E SÍMBOLOS A – Ampére I – Corrente Elétrica P – Potência Ativa V – Tensão Elétrica R – Resistência Elétrica V – Volt W – Watt  – Ohm VCC – Tensão em corrente continua VCA – Tensão em corrente alternada VCE – Tensão Coletor-Emissor VBE –…

MARIA COLÉGIO TÉCNICO INDUSTRIAL DE SANTA MARIA CURSO TÉCNICO ELETROTÉCNICA RELATÓRIO ELETRÔNICA 5 Polarização Transistor Emissor – Comum PROF. Cláudio R. do Nascimento Carlos Eduardo Moreira Flores T: 341 1 UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA MARIA COLÉGIO TÉCNICO INDUSTRIAL DE SANTA MARIA CURSO TÉCNICO ELETROTÉCNICA Introdução: Os circuitos com transistores polarizados emissor comum são utilizados para amplificar sinais de tensão pequenos, tais como os sinais de rádios fracos…

Relatório de Eletrônica I TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO Araçatuba-SP 2012 SUMÁRIO SUMÁRIO 2 1 - INTRODUÇÃO 3 2 – OBJETIVOS 4 3 – MATERIAIS UTILIZADOS 4 4.1 – Levantamento de dados 5 5 – CONCLUSÃO 9 7 - BIBLIOGRAFIA 9 1 - INTRODUÇÃO O Transístor Bipolar de Junção, TJB (BJT), é um dispositivo Semicondutor, composto por três Regiões de Semicondutores dopados (Base, Colector e Emissor), separadas por duas Junções p-n. A…