Mosfet Laboratório

SUMÁRIO INTRODUÇÃO 2 SEMICONDUTOR IGBT E TRANSITOR MOSFET 3 1. CONCEITOS 3 2. SIMBOLOGIA DO IGBT E MOSFET 4 3. ONDE SE APLICA O IGBT E O MOSFET 4 4. PESQUISAS BIBLIOGRÁFICAS 5 CONCLUSÃO 8 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS 9 INTRODUÇÃO Desde a invenção do primeiro transistor de junção PNPN, pelos laboratórios Bell em 1957, houve um grande avanço nos dispositivos semicondutores de potência. Até 1970, os transistores convencionais foram exclusivamente usados para

plataforma SCHEMATICS, b) simulou-se no PsPice e c) montou-se em laboratório alguns circuitos que seriam utilizados, direta ou indiretamente, no circuito conversor final. Primeiramente, foram projetados e montados um retificador monofásico com filtro capacitivo e um circuito PWM. Em um segundo momento, utilizando-se como base os circuitos retificador e PWM já montados, foram desenvolvidos, simulando-se e testando em laboratório, um conversor BOOST e, após, um conversor BUCK.…

3.5. Ponte H (acionamento de motores) 6 resistores 10K ½ W 2 resistores 1K ½ W 4 diodos 1N4007 1 diodo Zener 15V 1W 1 Capacitor 100nF 1 Capacitor eletrolítico 470uF 25V 2 transistores 2N3904 2 MOSFet N-Channel BUZ11 2 MOSFet P-Channel IRF9540 3.5.1. Circuito Ponte H com MOSFet 3.5.2. Simulação no Multisim 3.5.3. Visualização em 3D 3.6. R/C Switch Muda a direção(função giro no próprio eixo) 1 regulador de tensão 7805 1 resistor 47K…

MOSFET Grupo: Marco Alexandre Marcos Vinicius Pedro Paulo Ronan Marques Wellington Tonini Introdução  Inventado nos Laboratórios da Bell Telephone em 1947  Componente eletrônico utilizado para amplificar um sinal e controlar a passagem de corrente elétrica.  Existem o transistores bipolares e os transistores de efeito de campo  Transistores bipolares (TBJ): amplificadores de corrente Corrente de coletor em função da corrente de base  Transistores de efeito de campo…

Engenharia de Controle e Automação FACULDADE PITÁGORAS VOTORANTIM - SOROCABA MATERIAIS ELÉTRICOS E SEMICONDUTORES Paulo Fernando Votorantim / 2013 DIODO, TRANSISTOR E MOSFET Trabalho elaborado como avaliação parcial da disciplina Materiais elétricos e semicondutores, ministrada pelo Professor Heverton Bacca - Curso de Engenharia Controle e Automação. Votorantim / 2013 2 RESUMO O diodo é um componente formado por dois cristais semicondutores de silício ou

em malha aberta........................... 35 Figura 16: Simulação da tensão dreno-fonte no MOSFET sem grampeamento.............................. 35 Figura 17: Simulação da tensão dreno-fonte no MOSFET com grampeamento.............................. 36 Figura 18: Tensão e corrente no MOSFET durante o corte................................................................... 36 Figura 19: Correntes no MOSFET (vermelho) e no diodo (azul) do estágio de saída. ................... 37 Figura…

elemento dominante em sistemas lógicos moderno. De acordo com Turner (2004) os transistores de efeito de campo podem ser divididos em dois tipos: JFET (FET de junção) IGFET (FET de porta isolada) Dentre os IGFETs, pode-se distinguir dois subtipos: MOSFET (Metal Óxido Semicondutor – FET) SOS (Silicon-on-Sapphire – Silício entre Safiras) Desta classificação pode-se passar à explicação do funcionamento de cada dispositivo. 2 JFET (Transistor de Efeito de Campo de Junção)…

MESQUITA FILHO Campus Universitário de Bauru FACULDADE DE ENGENHARIA www.feb.unesp.br Prof. Dr. Alceu Ferreira Alves 2012 UNIVERSIDADE ESTADUAL PAULISTA FE/Bauru - Departamento de Engenharia Elétrica unesp TURMAS 2313EE2X – LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA I PROGRAMAÇÃO DE AULAS – 2º SEMESTRE 2012 Horários das Aulas Turma 2313EE21 Turma 2313EE22 Turma 2313EE23 Turma 2313EE24 Terças-feiras Terças-feiras Terças-feiras Terças-feiras 14h00 16h00 19h00 21h00…

Resistências de entrada de valor moderado;; Resistências ... Transistor CORTE E SATURAÇÃO - Scribd pt.scribd.com/doc/57997034/Transistor-CORTE-E-SATURACAO‎ 16/06/2011 - Transistores. História do Transistor O transistor foi inventado nos Laboratórios da Beel Telephone em dezembro de 1947 ( e não em 1948 ... transistores bipolares - Ebah www.ebah.com.br/content/ABAAAem1sAK/transistores-bipolares‎ A essa situação de polarização chamamos saturação e dizemos que…

em malha aberta........................... 35 Figura 16: Simulação da tensão dreno-fonte no MOSFET sem grampeamento.............................. 35 Figura 17: Simulação da tensão dreno-fonte no MOSFET com grampeamento.............................. 36 Figura 18: Tensão e corrente no MOSFET durante o corte................................................................... 36 Figura 19: Correntes no MOSFET (vermelho) e no diodo (azul) do estágio de saída. ................... 37 Figura…