transistores

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Introdução

Um TJB (transistor de junção bipolar) é um dispositivo semicondutor que é controlado por corrente e é capaz de multiplicar a corrente que circula em um de seus terminais, chamado base. Ele é constituído por duas junções PN que partilham uma região em comum (base), caracterizada pela sua pequena espessura e dosagem baixa. Quando essa região é do tipo N (colocada entre duas regiõesP), o transistor é designado PNP e, se for do tipo P (colocada entre duas regiões N), é designado NPN. Além da Base (B), há mais dois terminais, o Emissor (E) e o Coletor (C). A O transistores NPN e PNP estão representados nas imagens abaixo, respectivamente:



Cada junção do TJB pode ser direta ou inversamente polarizada, independentemente da outra junção. Existem quatro modos de operaçãodo TJB:
1. Zona ativa: Emissor diretamente polarizado, coletor-base inversamente polarizado;
2. Zona de corte: Emissor inversamente polarizado, coletor-base inversamente polarizado;
3. Zona de saturação: Emissor diretamente polarizado, coletor-base diretamente polarizado;
4. Zona ativa inversa: Emissor inversamente polarizado, coletor-base diretamente polarizado;

Na zona ativa, a tensão Vbeé tipicamente 0,7 V e o transistor atua como uma fonte de corrente dependente (a corrente Ic depende da corrente Ib) e para pequenos aumentos Ib há grandes aumentos de Ic.
Na zona de corte, a corrente de base é nula, equivalente a manter o circuito de base aberto. A corrente do coletor é tão pequena que, se a desprezarmos, podemos comparar o transistor no circuito coletor-emissor como uminterruptor aberto e dizer que o transistor está em corte.
Na zona de saturação a corrente do coletor é aproximadamente independente da corrente de base, para determinados valores de Rc e Vcc. O transistor então se assemelha a um interruptor fechado e a corrente que circula pelo circuito coletor é limitada apenas pelo circuito interno.
As zonas citadas podem ser representadas nas seguintes imagens:Assim como qualquer outro componente, o transistor possui algumas limitações em relação às suas condições de trabalho, que são apresentadas pelos fabricantes através do Data Sheet.









Objetivos

Identificar terminais dos transistores e se eles são PNP ou NPN;
Analisar características de transferência;
Verificar defeitos no transistor.

Materiais Utilizados

3 transistoresBC548;
1 transistor BC558;
1 transistor BD135;
1 transistor BD136;
1 transistor TIP31;
1 transistor TIP42;
1 transistor N3019;
1 transistor 2N2955;
1 placa de protoboard;
1 fonte;
1 multímetro;










Procedimento

Primeiramente, identificamos se os transistores dados eram do tipo PNP ou NPN e, para isso, fixamos uma das pontas de prova em um dos terminais do transistore localizamos os terminais que conduzem com o terminal que tem a ponta de prova fixa; Na polarização direta este terminal fixo é a base do transistor. Quando a ponta fixada é a preta (negativa), o transistor é PNP, quando é vermelha (positiva), o transistor é NPN.
Com tal procedimento, já descobrimos qual dos terminais é a base; Para identificar qual dos terminais é o coletor e qual é oemissor, sabemos que Vbe (Tensão base-emissor) > Vbc (Tensão base-coletor); Realizamos o teste com voltímetro.
Na segunda parte da experiência, montamos o circuito a seguir:

Sendo:
V1 = 15V
Rb = 470kΩ
Rc = 220Ω
V2 = 15V
E medimos os valores de Vbe (tensão base-emissor) e Vce (tensão coletor-emissor), assim como os valores de Ic e Ib. Repetimos o processo com outros dois transistores iguais,BC548 para comparação dos valores obtidos.
Na terceira parte da experiência, de verificação de defeitos, o valor de Rc passa a ser de 1kΩ e foi medido o valor de Vc para os defeitos pedidos (Resistor de 470kΩ em aberto, resistor de 1kΩ em aberto, coletor-emissor em curto e coletor-emissor aberto).



Resultados


BC548

Vbc = 683mV
Vbe = 690mV

BC558

Vbc = 773mV
Vbe = 736mV...
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