Transistores

Transístores e Efeito de Campo FET
Um FET é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de portadores em seu interior utilizando um canal, cuja espessura é controlada por regiões de depleção, nas quais não existem portadores. O controle é feito por diferença de potencial, por campo elétrico, não existe a injeção de portadores, aumentando a impedância de entrada do dispositivo.
O FET apresenta três conexões, o dreno (drain, D), a fonte (source, S) e o "controle do portão" (gate, G). A corrente de elétrons flui da fonte para o dreno através de um canal, sendo que a espessura deste canal, e consequentemente sua resistência, depende da região de depleção formada entre o gate e a source. Esta região de depleção depende do campo elétrico formado, e consequentemente da tensão aplicada VGS.
Os FETs podem ser compostos por germânio ou sílicio combinados à pequenas quantidades de fósforo e boro,que são substâncias ´´dopantes`` (isto é,que alteram as características elétricas).Os transistores de sílicio são os mais utilizados atualmente,sendo que transistores de germãnio são usados somente para o controle de grandes potências
O primeiro FET desenvolvido foi o de junção, FET (Junction Field Efect Transistor). Há dois tipos: Canal N e Canal P.
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a região N (ou P) esta parte, estreita, é chamado canal, por influir a corrente controlada.

Estrutura do JFET canal N
Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P

Note que em torno de um canal forma-se uma região de potencial na junção PN. Esta barreira restringe a área de condução de canal ao outro.

CARACTERISTICA
A curva característica de um FET é a medida da corrente no dreno (ID) em função da tensão aplicada sobre o FET, VDS, quando VGS=0. De forma similar ao transistor de junção, o FET apresenta uma região inicial de polarização das junções, seguida