Transistores: principais caracteristicas

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| |Universidade do Oeste Paulista – Unoeste |
| |Tecnologia em Produção Sucroalcooleira |
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Disciplina: Química Inorgânica.


Transistores, principais características.





Murilo Alonso Dogna.


















Presidente Prudente – SP

2012

1 Introdução


As siglas PNP, NPN e PN fazem parte da estrutura de um transistor que é um componenteeletrônico. O transistor de silício e germânio inventado por Bardeen e Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956.
Os materiais utilizados na fabricação do transistor são principalmente o Silício (Si), o Germânio (Ge), o Gálio (Ga) e também alguns óxidos. Na natureza, osilício é um material isolante elétrico, devido à conformação das ligações eletrônicas do seu átomo, na qual gera uma rede eletrônica altamente estável.
O silício é purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em seus átomos. O material é cortado em finos discos, que a seguir vão para um processo chamado de dopagem, onde são introduzidas quantidades rigorosamentecontroladas de materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura eletrônica, introduzindo-se entre as ligações dos átomos de silício e este realiza ligações covalentes de quatro elétrons e quando adicionamos uma impureza com 3 elétrons na última camada, faltará um elétron na ligação covalente, formando os buracos e caracterizando a pastilha como pastilha P.


2 JunçãoPN

A junção PN Denomina-se como uma estrutura fundamental dos componentes eletrônicos comumente denominados semicondutores, principalmente diodos e transistores. É formada pela junção metalúrgica de dois cristais, geralmente silício (Si) e Germânio (Ge), de natureza P e N, segundo sua composição a nível atômico. Estes dois tipos de cristais são obtidos ao se dopar cristais de metalpuro intencionalmente com impurezas, normalmente algum outro metal ou composto químico. ([1] WIKIPEDIA, 2012)




O que são as naturezas P e N:

Silício extrínseco (tipo-P):

Um semicondutor tipo-P é obtido através do processo de dopagem, adicionando-se certo tipo de composto, normalmente trivalente, isto é, com 3 elétrons na camada de valência, ao semicondutor para aumentar onúmero de portadores de carga livres (positivas, lacunas). O boro é um elemento que pode ser usado na dopagem do silício, formando um semicondutor tipo-P. ([1] WIKIPEDIA, 2012)




Silício extrínseco (tipo-N):


Um semicondutor tipo-N é obtido através do processo de dopagem em que se adiciona um composto, normalmente pentavalente, isto é, com 5 elétrons na camada de valência, aosemicondutor para aumentar o número de portadores de carga livres (negativos, elétrons livres). O fósforo é comumente utilizado como dopante doador do silício, formando um semicondutor tipo-N. ([1] WIKIPEDIA, 2012)


3 Transistores PNP e NPN

O transistor é montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P (unindo-se dois diodos), criando-se um transistor do tipo PNP. O transistordo tipo NPN é obtido de modo similar. A camada do centro é denominada base, e as outras duas são o emissor e o coletor. No símbolo do componente, o emissor é indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se o componente for PNP, ou para fora, se for NPN. ([4] WIKIPEDIA, 2012)

PNP:
O transistor PNP (lógica positiva) é formado por duas junções PN na sequência PN-NP....
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