Transistores bipolares

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  • Publicado : 5 de julho de 2012
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Transistores Bipolares

Transistores Bipolares de porta isolada (IGBTs)
O transistor bipolar[3] de porta isolada (IGBT) destaca-se pelas características de baixa queda de tensão no estado ligadodo Transistor Bipolar de Junção (BJT) com as excelentes características de chaveamento, que traz um circuito de acionamento da porta bem simplificado e com alta impedância de entrada do mosfet. Existemno mercado transistores IGBTs com os valores nominais de corrente e de tensão bem acima dos valores encontrados para Mosfets de potência.
Os IGBTs estão gradativamente substituindo os mosfets que sedizem em aplicações de alta tensão, onde as perdas na condução precisam ser mantidas em valores baixos. Mesmo as velocidades de chaveamento dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as do BJTs e asdo mosfets.
Ao contrário do ocorrido no MOSFET, o IGBT não tem nenhum diodo reverso internamente, sendo assim este fator torna sua capacidade de bloqueio para tensões inversas muito baixa, podendosuportar uma tensão inversa máxima em menos de 10 volts.
Princípios de operação do IGBT
A operação do IGBT é muito similar à dos MOSFETs de potência. Para colocá-lo no estado ligado, bastapolarizá-lo positivamente no terminal do coletor (C+) em relação ao terminal do emissor (E -). De igual maneira, uma tensão positiva VG aplicada na porta (G) fará o dispositivo passar para o estado ligado (ON),quando a tensão no gate (G) exceder a tensão de limiar. O IGBT passara para o estado desligado (OFF) quando houver o corte de tensão do terminal da porta (G).
Curva Característica de tensão-correntedo IGBT
A curva característica e uma plotagem da corrente de coletor (IC) x a tensão do coletor-emissão (VCE). Quando não houver a tensão aplicada na porta, o transmissor IGBT estará no estadodesligado (OFF), onde a corrente (IC) é igual a zero (0) e a tensão que passa através da chave é igual a tensão da fonte.Se a tensão > VGE(th) for aplicada na porta, o dispositivo passará para o estado...
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