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Eletrônica I
Transistor de Efeito de Campo “Field Effect Transistor -FET”

O transistor de efeito de campo “Field Effect Transistor – FET” • O transistor de efeito de campo é um dispositivo de três terminais utilizado em várias aplicações que em muito se assemelham às funções do TBJ. • A principal diferença entre os dois tipos de transistores é o fato de o TBJ ser um dispositivo controladopor corrente, enquanto o FET é um dispositivo controlado por tensão.

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

Copyright ©2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved.

FET
• Assim como há TJB’s NPN e PNP, também há transistores FET de canal de n e canal p; • O termo bipolar do TJB indica que nesse tipo detransistor a condução é função de dois portadores de carga elétrons e lacunas. • O FET é um dispositivo unipolar que depende unicamente da condução de elétrons (canal n) ou lacunas (canal p). • Para o FET, é estabelecido um campo elétrico pelas cargas presentes que controlarão o caminho de condução do circuito de saída sem a necessidade de um contato entre as quantidades controladoras econtroladas.

• O FET tem maior impedância de entrada, algo que varia de 1MΩ a centenas de Megaohms. • Em geral, os FETs sofrem menos os efeitos da temperatura do que os TJB’s; • Além disso, os JFETs são tipicamente bem menores que o TJB, isso o torna mais adequado para a fabricação de circuitos integrados; • As características de fabricação do FET podem torná-los mais sensíveis ao manuseio do que o TJB,podendo o mesmo ser danificado mais facilmente por cargas estáticas proveniente do contato com a mão do usuário.

• Os tipos de FET mais comuns são:
– O JFET – Junction FET (FET de junção); – O MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET (Transistor de efeito de campo de metal-óxido-semicondutor);

• A categoria MOSFET é dividida em duas categorias
– MOSFET de depleção; – MOFET de Intensificação• Devido à estabilidade térmica e a baixíssima distorção em frequências elevadas o MOSFET se tornou o principal dispositivo na fabricação de Circuitos Integrados para projetos de computadores;

Robert L. Boylestad and Louis Nashelsky Electronic Devices and Circuit Theory, 8e

Copyright ©2002 by Pearson Education, Inc. Upper Saddle River, New Jersey 07458 All rights reserved. Características do JFET
• • • • O JFET é um dispositivo de três terminais, sendo que um deles controla a corrente entre os outros dois; A figura abaixo mostra a construção básica do JFET canal n. Observa-se que a maior parte da estrutura é do material do tipo n que forma o canal entre as camadas imersas de material tipo p. A parte superior do canal do tipo n está conectada por meio de um contato ôhmico aoterminal chamado dreno (D, drain), enquanto a extremidade inferior do mesmo material está ligado por meio de contato ôhmico a um terminal chamado de fonte (S, source), Os dois terminais do tipo p estão conectados entre si e também ao terminal porta (G,gate).

Operação básica do FET
• Na figura abaixo, aplica-se uma tensão positiva VDS através do canal, e a porta foi conectada diretamente àfonte para estabelecer a condição de VGS =0V.

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ID versus VDS para VGS =0V

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Estrangulamento Pinch-off (VGS =0V, VDS =Vp)

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• O termo estrangulamento não é apropriado, pois leva-se a pensar que ID=0, entretanto pela curva ID...
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