Trabalho de eletronica

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Marcelo de Paula Barros Ra:12650

RESUMO

DIODOS E SEMICONDUTORES

1.1 Introdução
O diodos são os semicondutores mais simples. Eles vieram após a transição das antigas válvulas termoiônicas para os transistores também caracterizados como semicondutores de estado sólido. Seu encapsulamento tem o propósito básico é de simplesmente oferecer o manuseio e fixação mecânica no circuitoeletroeletrônico.

1.2 Diodo ideal
Foi o primeiro dispositivo eletrônico a ser apresentado, e é um dos mais simples dos dispositivos semicondutores, e possui características semelhantes de um chave, pode ser utilizado em aplicações das simples as mais complexa.
O diodo ideal é um dispositivo de 2 terminais , a função básica de um diodo é conduzir corrente em um único sentido.
Um dos parâmetrosimportante do diodo é a resistência no ponto de operação, se considerarmos a região de condução pelo sentido da corrente e polaridade da tensão determinará o valor da resistência, conforme a lei de ohm. Portanto o diodo ideal se comporta como um curto circuito na região da condução.

1.3 Materiais semicondutores
O germânio e o silício não os únicos semicondutores. São, no entanto os que despertamo maior interesse em relação ao desenvolvimento de dispositivos semicondutores. Algumas das qualidade únicas do germânio e do silício devem-se a suas estruturas atômicas ambos formam um modelo periódico e preciso . Um modelo completo é chamado de cristal a estrutura de ambos tem um formato de um diamante tridimensional.
Uma ligação de átomos estabelecida pelo compartilhamento de elétrons échamada de ligação covalente.
Materiais intrínsecos são semicondutores cuidadosamente refinados para se obtiver a redução de impurezas a um nível muito baixo. É basicamente tão puros quanto permitem a tecnologia moderna.
Um aumento de temperatura de um semicondutor pode resultar em um aumento substancial do número de elétrons livres no material.
Considera-se que materiais semicondutores como o Gee o Si, que apresentam um redução a resistência com o aumento da temperatura, possuem coeficiente de temperatura negativo.

1.4 Níveis de energia
Na estrutura atômica há níveis de energia discretos associados a cada elétron em orbita.
Quanto mais longe o elétron estiver do núcleo , maior será o estado de energia, e qualquer elétron que tiver deixado seu átomo de origem apresentará umestado de energia maior do que qualquer outra estrutura atômica.

1.5 materiais extrínsecos dos tipos N e P.
As características dos materiais semicondutores podem ser alteradas pela adição de determinadas átomos de impurezas no material semicondutor puro. O material do tipo N é criado com a introdução dos elementos de impureza que tem 5 elétrons de valência como o antimônio, o arsênio e o fósforo.O material do tipo P é obtido dopando-se um cristal de germânio ou silício átomos que possuem 3 elétrons valência. Os elementos mais usados para isso são o boro, o gálio e o índio. no fluxo de elétron um material do tipo N, o elétron é chamado de portador majoritário, ao contrario em um material do tipo N o elétron é minoritário.

1.6 Diodo semicondutor
O diodo semicondutor é formado pelasimples união de materiais tipo n e tipo p (construído pela mesma base Ge ou si). Quando os materiais são unidos os elétrons e as lacunas da região de junção se combinam.
Como o diodo é constituído de 2 terminais , a aplicação de uma tensão permite 3 possibilidades.
Na ausência de uma tensão de polarização, o fluxo de carga em qualquer sentido para um diodo semicondutor é zero.
A correnteexistente sob condições de polarização reversa é chamada de corrente de saturação reversa e é representada pela letra I.
Um diodo semicondutor é polarizado diretamente quando é estabelecida a associação do potencial positivo do material tipo p e do negativo para o material tipo n.
Efeitos da temperatura.
A temperatura pode ter efeitos marcantes sobre as características de um diodo semicondutor de...
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