Traansistor

Transistor de junção bipolar
Sedra & Smith, 4a edição, capítulo 4 http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/toc5.htm adaptação – Prof. Corradi www.corradi.junior.nom.br Transistor npn

Figura 4.1 Estrutura simplificada do transistor npn.

Transistor de junção bipolar (2)
Transistor pnp

Figura 4.2 Estrutura simplificada do transistor pnp.

Dependendo da polaridade da tensão aplicada em cada junção, obtém-se diferentes modos de operação do TJB.

Modos de operação do TJB npn http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/chapter5/ch5_3.htm e Sedra.
A função do emissor e do coletor são invertidas (TJB não são normalmente simétricos).  “Ligado” – baixa impedância
 Saturado
 Liga/Desliga: circuitos lógicos

 “Desligado” – elevada impedância
 Amplificadores com TJB
 Cortado (vBC e vBE reversam. pol.)
 Pequena corrente reversa.

Modo

JEB

JCB

Cortado

Reverso

Reverso

Ativo

Direto

Reverso

Saturação

Direto

Direto

Operação do transistor npn na região ativa

Figura 4.3 Fluxo de corrente em um transistor npn polarizado de modo a operar na região ativa. (Componentes de corrente reversa devido ao movimento de deriva de portadores minoritários gerados termicamente não estão mostrados.)

 Estão mostrados apenas os componentes da corrente de difusão.

Concentração dos portadores minoritários

ncoletor = 0  JBC diretamente polarizada n p (0)  n p 0e vBE / VT
Figura 4.4 Perfis das concentrações de portadores minoritários na base e no emissor de um transistor npn operando no modo ativo: vBE > 0 and vCB  0.

A corrente de coletor iC
 Corrente de difusão de elétrons In :
 dn p ( x) 
 n p (0) 
I n  AE q Dn 
 dx   AE q Dn   W 








IS: fator de escala de corrente

 A corrente de coletor iC = In : iC  I S e vBE / VT

 I S  AE q Dn

n p 0 ( 0)
W

ni2
 AE q Dn
W NA

 Observe que a magnitude de iC independe de vCB
(contanto que seja 