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CURSO DE ELETRÔNICA DE POTÊNCIA

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Capítulo I - DISPOSITIVOS SEMICONDUTORES .................................................................... 4 1. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO( SCR ) ........................................................ 4 1.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................... 4 1.2 -CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA ............................................................ 4 1.3 - CURVA CARACTERÍSTICA DO SCR ......................................................................... 7 1.4 - TIPOS DE SCR`s............................................................................................................ 8 1.5 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM SCR.................................................... 8 1.6 - TESTE DE UM SCR ....................................................................................................... 9 1.7 - IDENTIFICAÇÃO E PARÂMETROS PARA A ESCOLHA DE UM SCR ................. 9 2. O RETIFICADOR CONTROLADO DE SILÍCIO DE MÃO DUPLA “O TRIAC” ................ 11 2.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 11 2.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA .......................................................... 11 2.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO TRIAC .................................................................. 12 2.3 - TRIAC`s COMERCIAIS .............................................................................................. 13 2.4 - IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UMTRIAC ............................................. 13 2.5 - TESTE DE UM TRIAC ................................................................................................. 14 3. O TRANSISTOR UNIJUNÇÃO( UJT ) .................................................................................. 14 3.1 - CONCEITO E FUNDAMENTOS................................................................................. 14 3.2 - CONSTITUIÇÃO INTERNA E SIMBOLOGIA .......................................................... 14 3.3 – PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ......................................................................... 15 3.4 - PARÂMETROS IMPORTANTES DA CURVA ........................................................... 15 3.4 – IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DO UJT.......................................................... 16 3.5 – TESTE DE UM UJT ...................................................................................................... 16 4.O DIAC ( DIODO DE CORRENTE ALTERNADA ) .............................................................. 17 4.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 17 4.2 – CONSTITUIÇÃOINTERNA E SIMBOLOGIA.......................................................... 17 4.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIAC ..................................................................... 17 4.3 –IDENTIFICAÇÃO DOS TERMINAIS DE UM DIAC ................................................. 18 4.4 –TESTE DO DIAC........................................................................................................... 18 4.5 – APLICAÇÕES PARA O DIAC ..................................................................................... 18 5. O IGBT( TRANSISTOR BIPOLAR DE GATILHO ISOLADO )............................................ 19 5.1 – CONCEITO E FUNDAMENTOS ................................................................................. 19 5.2 – CONSTITUIÇÃO INTERNA ESIMBOLOGIA.......................................................... 19 5.3 - PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO ......................................................................... 20 5.3 – CURVA CARACTERÍSTICA DO IGBT ..................................................................... 21 5.4 – IGBT´s COMERCIAIS ................................................................................................ 21 5.5...
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