Relatório de estagio

Índice I. Introdução II. Princípio de Funcionamento III. Parâmetros Básicos do GTO IV. Condições do Sinal de Gate para Chaveamento V. Vantagens do Uso do GTO VI. Circuitos Amaciadores (Snubber) 6.1 Desligamento 6.2 Entrada em Condução VII. Associações em Série e em Paralelo VIII.Referências Bibliográficas

I. Introdução

Todos os tiristores só se desligam quando a corrente cai abaixo da corrente de manutenção, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO permite o desligamento pelo gate, por pulso negativo de alta corrente, daí o nome (Gate Turn Off, desligamento pelo gate). Estruturalmente, é similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gate permite minimizar o sobre-aquecimento durante o desligamento (o que destruiria um SCR). O desligamento é feito em geral através de descarga de um capacitor. O GTO, embora tenha sido criado no início da década de 60, foi pouco utilizado no início por problemas de fraco desempenho. Com o avanço da tecnologia de construção de dispositivos semicondutores, novas soluções foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicação, especialmente naquelas de elevada potência, uma vez que estão disponíveis dispositivos para 5000V, 4000A.

II. Princípio de Funcionamento

O GTO possui uma estrutura de 4 camadas, típica dos componentes da família dos tiristores. Sua característica principal é sua capacidade de entrar em condução e bloquear através de comandos adequados no terminal de gate. O mecanismo de disparo é semelhante ao do SCR: supondo-o diretamente polarizado, quando a corrente de gate é injetada, circula corrente entre gate e catodo. Grande parte de tais portadores desloca-se até a camada N adjacente (já que a camada de gate é suficientemente fina), atravessando a barreira de potencial e sendo atraídos pelo potencial do anodo,