Pesquisa dispositivos semicondutores

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PESQUISA

TIPOS DE TIRÍSTORES

PROFESSOR: ARGEMIRO

ALUNO:

WELINGTON TEODORO

BELO HORIZONTE - 2013

SUS-CHAVE UNILATERAL DE SILÍCIO

SIMBOLOGIA

CARACTERÍSTICAS ESPECIAIS

A chave unilateral de silício SUS-Silicon Unilateral Switch, é na realidade um aprimoramento do SCR ou diodo de quatro camadas.Consiste em um circuito integrado composto de transistores,diodos e resistoresacrescido de um terceiro terminal de gatilho o que o dá mais possibilidades de aplicação.

COMPARAÇÃO COM OUTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO

A diferença deste dispositivo para o SCR ou DIAC é que é o diodo zener que define o seu ponto de disparo.Então:Vs=Vz + Vbe1 E se colocarmos outro diodo externo entre o catodo e o gate,sendo que esse Vzext seja menor que Vz,a tensão de saída será a soma deVzext e Vbe1 podemos assim variar o ponto de disparo da SUS.Já se for conectado um resistor entre anodo e gate e outro,de igual valor,entre gate e catodo a tensão de disparo diminui.

O DIODO SHOCKLEY

SIMBOLOGIA

CARACTERÍSTICAS ESPECIAIS

Chamado diodo de quatro camadas (também conhecido como diodo Shockley), este dispositivo é classificado como um diodo porque tem apenas dois terminaisexternos. Devido às suas quatro regiões dopadas, ele é muitas vezes chamado diodo PNPN.

FUNCIONAMENTO

A forma mais simples de entender como ele funcionar é imaginar esse dispositivo separado em duas metades, como mostrado na figura abaixo. A metade da esquerda é um transistor PNP e a metade da direita é um transistor NPN. Portanto, o diodo de quatro camadas é equivalente à uma trava.COMPARAÇÃO COM OUTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO:

Por não haver entrada alguma de disparo, a única forma de fechar um diodo de quatro camadas é por meio de avalanche direta, e a única forma de abri-lo é por meio de desligamento por baixa corrente. Com um diodo de quatro camadas não é necessário reduzir a corrente a zero para abrir a trava. Os transistores internos do diodo de quatro camadas sairão dasaturação quando a corrente for reduzida a um valor baixo chamado corrente de manutenção.

GTO OU GATETURN-OFF THYRISTOR

SIMBOLOGIA

FUNCIONAMENTO

O GTO ou GateTurn-Off Thyristor, como o nome indica é um Tiristor que pode ser desligado por um sinal aplicado à comporta. As interconexões das camadas de controle são mais finas, minimizando a distância entre a porta e o centro das regiõescatódicas e aumentando assim o perímetro das regiões da porta.
Existem regiões n- que curto-circuitam as regiões anódicas de modo a acelerar o desligamento e a tensão de ruptura inversa é muito baixa.

COMPARAÇÃO COM OUTROS DISPOSITIVOS DE DISPARO:

A grande vantagem do GTO (Gate Turn-off ) em relação ao SCR é que ele pode ser ligado ou desligado através de um pulso na porta de catodo (Gate).MCT - MOS-CONTROLLED THYRISTOR

SIMOLOGIA
FUNCIONAMENTO
Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsável pela entrada em condução do tiristor (on-FET) é também de canal P, sendo levado à condução pela aplicação de uma tensão negativa no terminal de gate. Estando o anodo positivo, a condução do on-FET realiza uma injeção de portadores na base do transistor NPN, levando o componente àcondução. Uma vez que o componente é formado pela associação de dezenas de milhares de células, e como todas elas entram em condução simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt.O MCT permanecerá em condução até que a corrente de anodo caia abaixo do valor da corrente de manutenção (como qualquer tiristor), ou então até que seja ativado o off-FET, o que se faz pela aplicaçãode uma tensão positiva no gate.

CARACTERRÍSTICAS ESPECIAIS E COMPARAÇÕES
O MCT não apresenta o efeito Miller, de modo que não se observa o patamar de tensão sobre o gate, o qual pode ser modelado apenas como uma capacitância.Esta capacidade de desligamento está associada a uma intensa interdigitação entre o off-FET e as junções, permitindo absorver portadores de toda superfície condutora...
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