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Eletrônica

Diodos.
Antes de entrarmos no assunto propriamente dito, é necessário fazermos algumas considerações sobre o material de que são feitos alguns importantíssimos componentes eletrônicos, tais como: diodos e transistores entre outros; este material é conhecido como semicondutor. 1o-Materiais Semicondutores. Existem na natureza materiais que podem conduzir a corrente elétrica comfacilidade: os metais-Ex: cobre, alumínio, ferro etc. Materiais que não permitem a passagem da corrente elétrica, pois o portador de carga(elétrons), não tem mobilidade neles.São os isolantes. Ex.: mica, borracha,vidro plásticos etc. Em um grupo intermediário, situado entre condutores e os isolantes estão os semicondutores, que não são nem bons condutores e nem chega a ser isolantes. Destacamosentre os semicondutores, pois serão alvos deste estudo o silício(Si) e o germânio(Ge). Existem outros elementos semicondutores também importantes para eletrônica São eles o selênio(Se), o Gálio(Ga) etc. As principal característica que interessa no caso do Silício e do Germânio é que estes elementos possuem átomos com 4 elétrons na sua última camada e que eles se dispõe numa estrutura geométrica eordenada. O silício e o germânio formam cristais onde os átomos se unem compartilhando os elétrons da última camada. Sabemos da química que os átomos de diversos elementos têm uma tendência natural em obter o equilíbrio, quando sua última camada adquire o número máximo de 8 elétrons. Desta forma formam, tanto o silício quanto o germânio formam cristais quando os seus átomos um ao lado do outrocompartilham os elétrons havendo sempre 8 deles em torno de cada núcleo, o que resulta num equilíbrio bastante estável para estes materiais. Veja Fig.1, a seguir:

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Figura 1 Nesta forma cristalina de grande pureza o silício e o germânio não servem para elaboração de dispositivos eletrônicos, mas a situação muda quando adicionamos certas “impurezas”ao material. Estas impurezas consistem em átomosde algum elemento químico que tenha na sua última camada um numero diferente de 4 elétrons, e que sejam agregados a estrutura do Germânio ou/e do silício em proporções extremamente pequenas da ordem de partes por milhão (ppm). No nosso exemplo utilizaremos o silício com as duas possibilidades de adição. a)Elementos com átomos de 5 elétrons na última camada; b)Elementos com átomos dotados de 3elétrons na última camada. No primeiro caso, mostrado na figura 2, a adição e utilizando o elemento arsênio (As). Como os átomos vizinhos só podem compartilhar 8 elétrons na formação da estrutura cristalina, sobrará um que não tendo a que se ligar, adquire mobilidade no material, e por isso pode servir como portador de carga.

Figura 2

O resultado é que a resistividade ou capacidade de conduzir acorrente se altera e o semicondutor no caso o silício fica, o que se chama “dopado” e se torna bom condutor da corrente elétrica. Como o transporte das cargas é feito nos materiais pelos elétrons que sobram ou elétrons livres que são cargas negativas, o material semicondutor obtido desta forma,

3 pela adição deste tipo de impureza, recebe o nome de Semicondutor do tipo N (Nnegativo). Nasegunda possibilidade, agregamos ao cristal de silício uma impureza, que contém 3 elétrons na sua última camada, no caso o Índio (In) obtendo-se então uma estrutura conforme mostrada na Figura 3.

Figura 3. Observa-se que, no local em que se encontra o átomo de Índio não existem 8 elétrons para serem compartilhados de modo que sobra uma vaga, que chamamos de “lacuna”. Esta lacuna também funciona comportador de carga, pois os elétrons que queiram se movimentar através do material podem “saltar”de lacuna para lacuna encontrando assim um percurso com pouca resistência. Como os portadores de carga neste caso são lacunas, e a falta de elétrons corresponde ao predomínio de uma carga positiva, dizemos que o material semicondutor assim obtido é do tipo P (P de positivo). Podemos formar materiais...
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