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SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA EM 1KVA


MARCIO ALBERTO VITORINO


















CAMPO GRANDE


JUNHO - 2012






MARCIO ALBERTO VITORINO












SEMICONDUTORES DE POTÊNCIA EM 1KVA





Trabalho requisitado pelo Professor Renato Maia Maia, para a obtenção de nota na disciplina Eletrônica Industrialde Potencia, do 3º Módulo, turma IO, turno Noturno do curso técnico em Eletrotécnica, do Colégio Mace da unidade Campo Grande.







Colégio Mace
Campo Grande – 29/06/2012

SUMÁRIO


Capa...........................................................................................................................01

Folha derosto.............................................................................................................02

Sumário......................................................................................................................03

Introdução...................................................................................................................04Desenvolvimento................................................................................................05 a 34

Conclusão...................................................................................................................35

Bibliografia..................................................................................................................36





INTRODUÇÃO


Os semicondutores provocaram umaverdadeira revolução na tecnologia da eletrônica. Nenhum aparelho eletrônico atual, desde um simples relógio digital ao mais avançado dos computadores, seria possível sem os mesmos.


Neste trabalho seguem informações básicas sobre alguns tipos de semicondutores de potência. Equipamentos industriais são certamente uma das suas principais aplicações. Sem eles, aparelhos como inversores defreqüência não seriam viáveis. E podem também substituir com vantagens dispositivos eletromecânicos, como relês e chaves magnéticas.

Observação: para cada tipo, é mostrada a estrutura simplificada das camadas semicondutoras. Os sinais após o tipo (n+, n-, p+, p-) não têm relação com cargas elétricas. Indicam a intensidade da introdução de impurezas (dopagem): sem sinal (dopagem média), - (dopagemfraca), + (dopagem forte).



















Diodo de potência

É o mais simples dos semicondutores, usados sobretudo em processos de retificação.

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|Figura 01 |

Na Figura 01 deste tópico,a estrutura simplificada e a curva corrente x tensão.

A corrente direta máxima é limitada pela temperatura máxima da junção, ou seja, a temperatura acima da qual a junção é destruída.

A junção também pode ser danificada por uma tensão inversa maior que a máxima (Vrm na figura).

Como todos os dispositivos práticos, a operação não se dá de forma ideal. Supondo que a junção estáconduzindo, se a tensão é bruscamente invertida, as regiões p e n ainda terão portadores minoritários de carga e o diodo se comporta como um curto-circuito por um breve período de tempo.

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|Figura 02 |


Assim, há umacorrente no sentido inverso, conforme Figura 02, que pode provocar interferências e perdas.

Diodos rápidos ou ultra-rápidos têm esse fenômeno menos pronunciado, mas em geral a máxima tensão inversa é menor.





































Transistor bipolar

Transistores bipolares são bastante conhecidos e dispensam maiores comentários.

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