Isoterma de adsor o de Gibbs

Isoterma de adsorção de Gibbs Para os tensoativos iônicos, a isoterma de Adsorção de Gibbs considera que a superfície adsorvida é considerada eletroneutra, de forma que os tensoativos de grande atividade superficial possuam excesso superficial equivalente à superfície adsorvida. Nesta condição, a superfície representa a região de interface inteira, ignorando a espessura finita da dupla camada elétrica, que na maioria das vezes é dada como múltiplo do comprimento de Debye. A expressão matemática que representa o fenômeno do excesso superficial é dada por:

Onde: Γ é o excesso superficial, dγ é a variação da tensão interfacial, ℜ é a constante universal dos gases e C é a concentração do componente em estudo (solvente ou tensoativo). Sendo esta situação para os tensoativos iônicos, eles estão em solução de tal maneira que suas moléculas estão dissociadas, não necessariamente na forma de micelas ou na superfície. As espécies iônicas podem ser representadas pela equação de Gibbs abaixo:

Sendo o Γ o excesso superficial, S- o tensoativo, M+ o contra-íon e X- o co-íon, eletrólito suporte inorgânico. Nessa situação, há também uma dissociação do eletrólito suporte em solução que apresenta um íon comum ao tensoativo iônico e que pode causar um decréscimo na tensão superficial comparando com a ação do tensoativo estando sozinho no meio. Estudos com radioisótopos têm apresentado que a tensão decresce com o aumento da valência do contra-íon, mostrando que o ΓX - desaparece na expressão. O que reduz a equação anterior para tensoativo monovalente, ficando:

Onde C é a concentração de íons de tensoativo, CX é a concentração dos co-íons e (C+CX) é a concentração de contra-íon, M+/-z, considerando a eletoneutralidade do sistema interfacial. Desde que os limites sejam de CX = 0 e CX >> C, reduzimos ainda mais a expressão, para:

Considerando apenas os íons produzidos pela molécula tensoativa, e que a concentração de eletrólito inerte seja baixa (solução diluída), esta