Igbt

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Disciplina: Eletrônica Industrial
Prof. Fabio Monteiro

Cassio Urias Furlan Nº. 05 3º. O
Jundiaí, 23 de Agosto de 2010.
Princípio de Funcionamento e Aplicações do IGBT.

IGBT sigla que vem doInglês Insulated Gate Bipolar Transistor, ou Transistor Bipolar de Porta Isolada, Trata-se de um semicondutor que é metade FET e metade bipolar. Nele, a corrente principal é conduzida entre umcoletor e um emissor como num transistor bipolar, mas esta corrente é controlada por uma tensão aplicada numa comporta, como num FET. Os IGBTs reúnem as vantagens dos dois componentes e por isso podem serusados no controle de dispositivos de potência, sendo encontrados principalmente em aplicações industriais.
IGBTs são usados para controlar solenóides, motores, em fontes chaveadas e em muitas outrasaplicações importantes onde o controle de altas correntes a partir de tensões é necessário. Eles são encontrados principalmente em máquinas industriais, inversores de potência e em outros dispositivosde comutação de alta potência. Os IGBTs são sempre montados em dissipadores de calor.
Abaixo o circuito equivalente e o símbolo do IGBT.


Suas principais características elétricas são:
-Tensão máxima entre coletor e emissor VCEmax (é a máxima tensão que pode ser aplicada ao dispositivo).
- Corrente máxima de coletor ICmax (é a máxima corrente que o componente pode conduzir quandochaveado).
- Potência de dissipação PD (é a máxima quantidade de energia que pode ser convertida em calor em cada segundo (em watts)).

Encapsulamento

O aspecto externo é o mesmo de qualquer transistorde potência comum, de modo que, para saber se é um IGBT, é preciso se basear no seu número de fábrica.
Alguns encapsulamentos dos IGBTs são: TO-220AB, D2PAK, TO-254AA, TO-247AC, TO-262, TO-274AA,TO-247AC, TO-220 fullpak, DPAK, TO-220FP, TO-247.

Principais características do datasheet
Collector-Emitter Voltage - VCES
Gate -Emitter Voltage - VGES
Collecotr Current - IC
Max. Power...
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