Historia de processos de fabricação

APRESENTAÇÃO SOBRE O DIODO ESPECIAL GUNN

Autores: Arthur Delfino Duarte

INSTITUTO NACIONAL DE TELECOMUNICAÇÕES – INATEL
SANTA RITA DO SAPUCAÍ
Estado de Minas Gerais
Julho de 2010

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APRESENTAÇÃO SOBRE O DIODO ESPECIAL GUNN

Autores: Arthur Delfino Duarte

INSTITUTO NACIONAL DE TELECOMUNICAÇÕES – INATEL
SANTA RITA DO SAPUCAÍ
Estado de Minas Gerais
Julho de 2010

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Sumário
Introdução
Breve Histórico
Características
Princípio de funcionamento
Aplicações Práticas
Conclusão
Referências Bibliográficas

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1 – Introdução
Este artigo tem como idéia principal apresentar resumidamente um dos diodos especiais usados em sistemas de comunicação que operam na freqüência de microondas, o diodo
GUNN, apresentando um breve histórico sobre o diodo em questão, seu funcionamento, sua construção e sua importância para sistemas que operam nesta faixa de freqüência.

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2 – Breve Histórico
No início da década de 1960, J.B.Gunn, dos laboratórios da companhia IBM, descobre que em certos semicondutores do tipo n apresentam oscilações de altas freqüências em sua corrente, a partir de certa corrente de polarização, como o arsenieto de gálio (GaAs) e no sulfeto de cádmio (CdS).
As experiências foram iniciadas em 1962 e divulgadas pela primeira vez em 1963, com previsões e resultados de que componentes construídos a partir de alguns materiais semicondutores poderiam apresentar resistência dinâmica negativa.
Mais tarde o fenômeno foi verificado também em arsenieto de índio (InAs), em fosfeto de índio (InP) e em