hhhhhhhhhhhhhhhhh

1 i i i 


•Define-se C E i i , onde
1
ou


1
.
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•Observe que se 100, então 0,99.
•é chamado de ganho de corrente em base comum.
Modelos Equivalentes
[Figura 4.5 – página 216]
•Circuitos equivalentes ao TBJ npn no modo ativo o Fonte de corrente controlada pela tensão vBE. o Fonte de corrente controlada pela corrente iE. o Fonte de corrente controlada pela tensão vBE. o Fonte de corrente controlada pela corrente iB.
A Constante n (fator de idealidade)
•Na equação do diodo, a constante n possui valor entre 1 e 2.
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•No TBJ, a constante n é próxima de 1, exceto em correntes muito altas ou muito baixas, em que possui um valor próximo a 2.
•Considera-se nas análises que n=1, salvo seja citado.
A Corrente Reversa de Coletor-Base (ICBO)
•Corrente reversa associada a portadores minoritários gerados termicamente.
•ICBO circula do coletor para a base com o emissor em aberto (Open) e está na faixa de nA.
•Contém uma componente de fuga substancial e seu valor varia com vCB.
•Depende muito da temperatura (dobra a cada 10º C de aumento de temperatura). A Estrutura de Transistores Reais
•Seção transversal de um TBJ npn.
[Figura 4.6 – página 217]
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4.3. O TRANSISTOR pnp
•Fluxo de corrente de um transistor pnp polarizado para operar no modo ativo.
[Figura 4.7 – página 218]
•Dois modelos para grandes sinais para o transistor pnp operando no modo ativo. [Figura 4.8 – página 219]
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4.4. SÍMBOLOS PARA CIRCUITOS E CONVENÇÕES
•Simbologia para os transistores npn e pnp.
•Polaridades das tensões e fluxos de corrente para os transistores polarizados no modo ativo.
[Figura 4.10 – página 221]
Transistor na região ativa v 0 BE e v 0 CB para o npn v 0 EB e v 0 BC para o pnp
T
BE
V
v
C S i