Eletrônica - Junção PN e Diodo

2216 palavras 9 páginas
ELETRÔNICA I
CURSO TÉCNICO EM ELETROTÉCNICA

AULA 3 – JUNÇÃO PN E DIODO
PROFESSOR HENRIQUE WORM henriqueworm@gmail.com 1. INTRODUÇÃO

1. INTRODUÇÃO
Estudamos
até semicondutores. o

momento

a

composição

dos

materiais

Vimos que os materiais são encontrados de forma abundante na natureza (areia, argila).
Foram analisados então os dois processos de dopagem dos cristais semicondutores, os quais visam a melhora na condutividade do material:
TIPO P: Dopagem TRIVALENTE, deixa o material com excesso de lacunas (carga positiva).
TIPO N: Dopagem PENTAVALENTE, deixa o material com excesso de elétrons (carga negativa).

1. INTRODUÇÃO
Vamos estudar hoje o que ocorre quando se tem uma fusão de um cristal tipo P com um tipo N, formando a JUNÇÃO PN.
A partir deste procedimento, foi possível desenvolver diversos componentes de extrema importância no campo da eletrônica, os quais serão estudados nesta disciplina.

2. A JUNÇÃO PN

2. A JUNÇÃO PN
Quando a união dos cristais é realizada, ocorre o processo de
DIFUSÃO, isto é, o excesso de ELÉTRONS presentes na borda do lado N, é atraído pelo excesso de LACUNAS presentes na borda do lado P.
Isto provoca diversas recombinações de pares elétron-lacuna.

N

Junção

P

-

-

-

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-

-

-

-

-

-

-

-

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-

-

-

2. A JUNÇÃO PN

CAMADA DE DEPLEÇÃO

2. A JUNÇÃO PN
CAMADA DE DEPLEÇÃO
O aumento da ionização do cristal provoca a diminuição do fluxo de elétrons do lado N para o lado P, até cessar o processo de difusão.
Com isso, cria-se uma camada ionizada em torno da junção.
Esta camada fica com ausência de portadores por causa das recombinações. Esta camada é chamada de CAMADA DE DEPLEÇÃO.
CAMADA DE
DEPLEÇÃO

N

P

-

-

-

-

+

-

-

-

-

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-

-

+

-

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-

-

+

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