Eletronica

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EXPERIMENTO 4: TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO.

Gabriel J. Suzigan Ra 10163988, Lucas L. Molina Ra 09142226 , Rafael M. Piza Ra 10583987 .

Objetivo: Estudar o comportamento de um transistor deefeito de campo , dito FET ( Field Effect Transistor), obtendo suas curvas de funcionamento características afim de provar a equação de Schokley.

Lista de materiais:

|Simulação|
|Resistores: |1MΩ |500Ω |
|Transistor: |J2N3819 | |




|Bancada ||Resistores: |1MΩ |500Ω |
|Transistor: |J2N3819 | |



Equipamentos:

| | |Simulação || |
|Qte. | | | | |
|2 |VDC |
|2 |Multímetros ||Qte. |Bancada |Modelos |
|1 |Gerador de Funções | |33120A HP |
|1 |Fonte DC ||E3610A HP |
|2 |Multímetros | |MINIPA |



Simulação:

O circuito utilizado é o mesmo dado no guia de atividades do professor na propostade experimento da atividade 4, e é apresentado na figura.1.




[pic]

Figura 1 - Esquemático utilizado para a simulação







Foi feita a varredura AC no PSPICE, segundo aconfiguração mostrada na Figura 2.

[pic]

Figura 2 - Configuração da varredura AC

O resultado da simulação foi um gráfico da IdxVgs que é a corrente de dreno (medida em Ampere) emfunção das tensões de alimentação (medida em Volts), também chamado de gráfico de transcondutância (1).

[pic] (1)



[pic]Figura 3 - Gráfico Id X Vgs




Analisando a figura anterior...
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