Eletronica sequencial

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CIRCUITOS DIGITAIS SEQÜENCIAIS – MEMÓRIAS

TECNOLOGIA MECATRÔNICA INDUSTRIAL - Prof. Francisco J. F. Lopes

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Nº de bits no endereço Nº de endereços da memória

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EPROMTECNOLOGIA MECATRÔNICA INDUSTRIAL - Prof. Francisco J. F. Lopes

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EEPROM – memória flash. Acessada como um dispositivo de bloco(PENDRIVE)

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SRAM
– Construída com flip-flops D – Mantém seu conteúdo enquanto houver alimentaçãode energia – São muito rápidas: acesso em nano segundos (10-9 segundos) – Utilizadas para construir memórias cache nível 2

DRAM
– Construída a partir de matriz de células. Cada célula é composta por 1 transistor MOS e um capacitor – Necessita de ciclos de “atualização”(refresh) p/ manter dado a cada x mili-segundos – Velocidade na casa dos 60 nano segundos (mais antigas) à 5 nano segundos(DDR) – Utilizadas para construir memórias voláteis do sistema (“RAM”) - Tipos assíncronos: – linhas de endereço e dados não são sincronizados por um único clock – FPM (Fast Page Mode) – EDO (Extended Data Output) - Tipos síncronos: – linhas de endereço e dados são sincronizados por um único clock – SDRAM: SDR SDRAM (Single-Data-Rate Synchronous DRAM) – Híbrido de RAM estática e dinâmica DDR SDRAM(Double-Data-Rate SDRAM) – Transfere dados tanto na subida quanto na descida do sinal de clock
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TECNOLOGIA DA RAM DINÂMICA USADA EM COMPUTADORES

-SIMM (Single-In-line Memory Module) e DIMM (Dual-In-line Memory Module) – são módulos de memória que permitem uma instalação rápidae são padrões de diversos tipos de DRAMs. Os módulos SIMM e DIMM definem apenas como a DRAM é “empacotada”. -SDRAM (Synchronous DRAM) – são organizadas em dois bancos que são acessados alternadamente utilizando um sinal de clock sincronizado com a CPU. Desse modo essas memórias alcançam altas taxas de transferências. -DRAM FPM (Fast Page module) – permite acesso mais rápido a qualquer posição dememória dentro da “página” corrente. Normalmente, a maioria dos dados gravados na memória são seqüenciais. Nesse tipo de DRAM, o endereço da linha (RAS) é enviado uma vez e o endereço da coluna (CAS) é incrementado. -DRAM EDO (Extended data output) – é uma melhoria em relação às FPM. Os dados são colocados na saída e a DRAM EDO já pode decodificar o próximo endereço sem que esses dados tenham sidolidos; - DRAM BEDO (Burst EDO) – Possui uma arquitetura que permite alcançar alta velocidade ao se acessar dados seqüenciais;

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Cartão de memória que utiliza a tecnologia flash

ROM Flash

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