Eletronica de potencia

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GBT
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Simbologia do IGBT

Sessão vertical de uma célula IGBT

Circuito equivalente

Curvacaracterística de um IGBT
O nome IGBT, é uma sigla de origem na Língua Inglesa e significa Insulated Gate Bipolar Transistor ou, em Português Transistor Bipolar de Porta Isolada. O IGBT é um semicondutor depotência que alia as características de chaveamento dos transistores bipolares com a alta impedância dosMOSFETs apresentando baixa tensão de saturação e alta capacidade de corrente. O IGBT destaca-sepor possuir alta eficiência e rápido chaveamento. Atualmente é muito utilizado em equipamentos modernos como carros elétricos ou híbridos, trens, aparelhos de ar condicionado e fontes chaveadas de altapotência. Devido a seu projeto que permite rápido chaveamento (liga/desliga), encontra aplicação também em amplificadores e geradores que necessitam sintetizar formas de onda complexa através de PWM efiltros passa-baixa.
O IGBT é uma invenção recente. A primeira geração de dispositivos desse tipo na década de 1980 e início dos anos 90 possuíam chaveamento relativamente lento e seu desligamento(corte na condução) não ocorria enquanto existisse corrente fluindo (característica conhecida na língua inglesa comolatchup). A segunda geração de IGBT apresentava melhoria e atualmente, osdispositivos de terceira geração são muito melhores com velocidade de chaveamento equiparada à dos MOSFETs além de excelente tolerância à sobrecarga e durabilidade.[1]
Basicamente, o IGBT pode ser analisadotambém como um mosfet acionando um transistor bipolar. Este arranjo apresenta um tiristor parasita, que ´normalmente é ignorado devido ao avanço tecnológico realizado na construção do componente, que nãoapresenta mais este inconveniente.
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[editar]Referências
1. ↑ A.Nakagawa et al., "Safe operating area for 1200-V non-latch-up bipolar-mode...
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