Eletro

Centro Universo de Educação e Desenvolvimento
Curso: Eletrotécnica

ELETRÔNICA DE POTENCIA

Juliana Fernandes Balieiro Castro
Arildo Gomes Transpadini
Francis Leonã
Jonathan Vieira Lima

PUT e UJT

SUMÁRIO

1. Introdução........................................................02

2. Objetivo............................................................02

3. Desenvolvimento..............................................02

4. Transistor UJT.................................................04

5. Oscilador de Relaxação....................................05

6. Testando um Transistor Unijunção..................07

7. Transistor PUT.................................................08

8. Comparativo UJT e PUT...................................10

9. Conclusão.........................................................11

Anexos..................................................................12

Bibliografia...........................................................14

1. Introdução

O transistor foi criado nos laboratórios da Bell Telephone em dezembro de 1947. A invenção desse componente é atribuída a três cientistas: Bradeen, Brattain e Shockley. O primeiro transistor surgiu por acaso durante estudos de superfícies em torno de um diodo de ponto de contato e seu nome foi derivado de suas características intrínsecas: "resistor de transferência" (transfer + resistor).
Em 1955 iniciou-se a comercialização do transistor de silício, com essa tecnologia o preço do transistor caiu já que o silício ao contrario do germânio, é mais abundante na natureza.

2. Objetivo

Explicar o princípio de funcionamento, dos transistores unijunção UJT e PUT, e sua aplicabilidade, por intermédio de circuitos osciladores de relaxação.

3. Desenvolvimento

3.1 Estudo dos Transistores

Dispositivo de 3 terminais (alguns possuem mais) que pode funcionar como