Diodo(laboratorio)

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FUNDAÇÃO OSWALDO ARANHA
CENTRO UNIVERSITÁRIO DE VOLTA REDONDA
UniFOA
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA









-ELETRÔNICA LINEAR I-
- LABORATÓRIO-
-DIODO-





VOLTA REDONDA
2010
SUMÁRIO


1. INTRODUÇÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.1-Diodos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

1.2-Teoria de Funcionamento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3




2. CÁLCULOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .5




3. EXPERIÊNCIAS E GRÁFICOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.1-Circuitos Experimentais . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8




4. CONCLUSÃO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11




5. FONTE DE PESQUISA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .12

1-INTRODUÇÃO






1.1-TRANSISTOR DE JUNÇÃO BIPOLARO transistor de junção bipolar é um dispositivo semicondutor de três terminais, formado por três camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro é chamado de transistor npn enquanto que o segundo é chamado de transistor pnp.
Através de uma polarização de tensão adequada consegue-se estabelecerum fluxo de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inúmeras aplicações como: chaves comutadoras eletrônicas, amplificadores de tensão e de potência, osciladores, etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e elétrons participarem do processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, elétron ou lacuna, o transistor é denominado unipolar(FET).

1.2- ESTRUTURA BÁSICA:

As figuras abaixo ilustram a estrutura básica de um transistor, representando um circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificação da polarização das junções, as quais são: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C respectivamente).


Observa-se que no transistor pnp a junção dos dois catodos do diodo forma a base, que énegativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn a junção dos dois anodos forma a base que é positiva, sendo o emissor e o coletor negativos. A simbologia utilizada para os transistores de junção é mostrada logo abaixo dos circuitos equivalentes "T" com diodos.


1.3- POLARIZAÇÃO:

Para que um transistor funcione é necessário polarizar corretamente as suasjunções, da seguinte forma:
1 - Junção base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Junção base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarização deve ser utilizado para qualquer transistor de junção bipolar, seja ele npn ou pnp.

As figuras abaixo ilustram exemplos de polarização para os dois tipos de transistores:



Observe atentamente nas figuras acima apolaridade das baterias.


1.4- OPERAÇÃO BÁSICA:

1 - Junção diretamente polarizada:

A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarização direta entre base e coletor. Para estudar o comportamento da junção diretamente polarizada, foi retirada a bateria de polarização reversa entre base e coletor.
Observa-se então uma semelhança entre a polarização direta de um diodocom a polarização direta entre base e emissor, onde aparece uma região de depleção estreita.
Neste caso haverá um fluxo relativamente intenso de portadores majoritários do material p para o material n.


2 - Junção reversamente polarizada:

Passemos a analisar o comportamento da junção reversamente polarizada, conforme mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a...
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