Configuração darlington

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ü Configuração Darlington

A principal função desta configuração é conseguir alta impedância de entrada e alto ganho de corrente. O arranjo desta configuração é conectar dois transistores do mesmo tipo de maneira que se o ganho de corrente de um transistor for β1 e o do outro for β2 então o ganho de corrente do arranjo será igual a βD = β1.β2 . A conecção Darlington atua como um novo dispositivo, cujo ganho de corrente é o produto dos ganhos individuais. A figura abaixo mostra esta configuração.

βD = IC / IB

IC
IB

Q1

IC

IB

β1

QD

β2

Q2

βD = β1.β2

Obs: 1) Esta configuração pode ser feita também com transistores PNP.
2) Como o transistor Q1 opera com baixas corrente, e comumente encontrado na prática um resistor entre a base e o emissor de Q2 , assim β 1 não é reduzido.

A figura abaixo fornece as especificações de data sheets para um par Darlington típico. Tipo 2N999 – Transistor Darlington NPN
Parâmetro
VBE hFE (βD)

Condições de teste
IC = 100mA
IC = 10mA
IC = 100mA

Mim.
4000
7000

Max.
1,8V
70.000

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Podemos representar esta conexão da mesma forma que fazemos para um transitor.Para isto, considere a figura abaixo e vamos determinar a sua impedância de entrada, a sua tranresistência (red = vbe /ic com vce = 0), o seu ganho de corrente AC (βd
= ic /ie com vce = 0) e sua impedância de saída (r0d ).

vce

ic

vce
Q1

ic

β d =? red=? r0d=?

C

ie

ie

QD r0d B

vbe

vbe

β dred

Q2

red

E

Utilizando o modelo do transistor para determinar inicialmente o ganho de corrente AC (βd ) e a transresistência do par . Então, vce = 0

ic = ie2 + ie1 - ic1
Q1
ie= ie1/β 1 r01 ic1

vbe

ie1/β 1

β 1re1

Q2

re1

ie1

r02

ie2/β 2

β 2re2

ie2 ie2/β 2 = (1+1/β 1). ie1 – ic1 ic1 = β 2re2 /(β 2re2+r01). (1+1/β 1). ie1

re2

ic2 = 0

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Da figura temos, a corrente de entrada é dada por: ie= ie1/β1

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A corrente