Analogica

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UNIVERSIDADE FEDERAL DE CAMPINA GRANDE CENTRO DE ENGENHARIA ELÉTRICA E INFORMÁTICA UNIDADE ACADEMICA DE ENGENHARIA ELÉTRICA Dispositivos Eletrônicos
SÉRIE DE EXERCÍCIO #7 (1) Em um transistorMOSFET, canal N tipo enriquecimento, circula uma corrente de dreno ID = 6mA quando se aplica uma tensão VGS entre a porta (Gate) e a fonte (Source) igual a 8V. Considerando que a tensão de threshold Vt =3V. (a) Qual deverá ser corrente de dreno se o ponto de operação for modificado para VGS=6V? (b) Determine o valor da constante K para este transistor. (c) Qual deve ser o valor da tensão de polarizaçãoVGS para que a transcondutância gm seja igual a 1,92mS? (2) (a) Em que difere no processo de fabricação do transistor MOSFET de enriquecimento para o transistor MOSFET de depleção? (b) Por que oMOSFET que é fabricado com o substrato tipo P é chamado de MOSFET canal N? (c) Que parâmetro do transistor MOSFET é alterado quando é aplicada uma tensão no substrato? (d) Identifique a região depolarização (triodo, corte, saturação) e determine a corrente ID para o transistor MOSFET, canal N, mostrado no circuito a seguir. Considere R1=100kΩ, R2=900kΩ, RD=5kΩ, Vt = 2V, K=0,25A/V2.

(3) ACIONAMENTODE MOTOR COM TRANSISTORES - Encontre os valores dos resistores R1 e R2 no circuito a seguir para que, ao se pressionar o botão na entrada do transistor bipolar (Q1), circule uma corrente de 1A pelomotor M de uma máquina elétrica. Determine a potência de dissipação sobre o transistor bipolar. A fim de proteger o operador da máquina deseja-se que a corrente que circule pelo resistor R1 (correntede base Q1), ao se pressionar o botão, seja igual a 5 μA. Considere K=0,25A/V2 e Vt = 3V, β=200 , V=24Volts e VBE = 0,7V.

(4) A figura a seguir mostra um circuito com transistor MOSFET. Considere V= 18V, R1=7,5kΩ, R2=500 Ω, K = 0,001A/V2 e Vt = 1,5V. (a) Determine o valor de V1 para que a tensão VDS dreno-fonte (drain-source) seja igual a 10V. (b) Calcule a potência de dissipação do...
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