Transistor Efeito Campo

FACULDADE ANHANGUERA DE GUARULHOS JEAN PIERRE KASSIN SILVA SANTOS RA 7093552302 ATPS ELETRONICA I Guarulhos 2015 JEAN PIERRE KASSIN SILVA SANTOS RA 7093552302 ATPS ELETRONICA I “Transistores de Efeito de Campo. Polarização do FET” Trabalho apresentado ao curso de Engenharia Elétrica e Produção da Faculdade Anhanguera de Guarulhos requisito parcial à obtenção de crédito na matéria de Eletronica I. Orientador(a): Professor Alexandre Almeida Guarulhos 2015 SUMÁRIO 1 –

Gabriel Bueno TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (JFET). Introdução Em dezembro de 1947, a indústria eletrônica estava prestes a experimentar um redirecionamento de interesse e desenvolvimento .Nesta data ,Walter Brattain e John Bardeen demonstraram a função de amplificação do primeiro transistor nos laboratórios da empresa Bell Telephone, transistor original (um transistor de contato de ponto).As vantagens desse dispositivo de estado solido de três terminais em ralação a válvula…

Transistores de Alta Freqüência ¾Os transistores foram desenvolvidos logo após o final da Segunda Guerra Mundial e eram usados em produtos de consumo. ¾Os primeiros se limitavam a aplicações de som e baixas freqüências. ¾Com o avanço da tecnologia, logo surgiram os transistores para receptores de VHF, no início da década de 1960. As aplicações em microondas ficariam para mais tarde. ¾As limitações para altas freqüências eram decorrentes de fatores como: 9Velocidade de saturação…

Disciplina: Eletrônica I Professor: Alessandro Atividade: Estudo Dirigido Nome: Raniel Francisco Santos de Paula RA: 112290 Turma: 6TMECI Transistor Transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos. O termo provém de transfer resistor (resistor/resistência de transferência), como…

Como funciona o IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) (ART1018) Reunindo as características de comutação dos transistores bipolares de potência à alta impedância de entrada dos transistores de efeito de campo, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potência de uso industrial e até mesmo em eletrônica de consumo e embarcada. Veja neste artigo o que é o IGBT e quais são suas características principais. Os transistores bipolares de potência possuem características

Resumo O estudo sobre os transistores unipolar foi uma experiência muito importante, a traves deste estudo percebi que os transistores além de funcionarem como transformador funciona também como uma resistência ou resistor. E percebi também que o transistor unipolar tem uma impedância maior de entrada em relação ao bipolar. Objetivo A sigla JFET significa Junction fíeld Effect Transistor (transistor de junção com efeito de campo). E um tipo unipolar de transistor. Este nome deriva…

Introdução O desenvolvimento dos transistores foi muito importante para o avanço da tecnologia, conseguimos desenvolver equipamentos eletrônicos mais portáteis e funcionais. Os transistores são divididos em duas categorias: os Bipolares e os Unipolares. Existem dois tipos básicos de transistores unipolares: Os transistores de efeito de campo (JFET – Junction Field Effect Transistor) e os transistores de efeito de campo de óxido metálico (MOSFET). Esta pesquisa se limita a estudar…

Centro de Educação Profissional e Tecnologia – CEPT-DI São Luís, dia 16 de dezembro de 2014. Curso Técnico de Eletromecânica Modulo: Eletrônica Professor: Júlio César Transistores e Tirístores São Luís - MA 2014 Centro de Educação Profissional e Tecnologia – CEPT-DI São Luís, dia 16 de dezembro de 2014. Curso Técnico de Eletromecânica Modulo: Eletrônica Professor: Júlio César DAYANE GONÇALVES COSME DAMIÃO JUNIOR SANDRIELY DAMASCENO

Transístor, um componente semicondutor 1947 - A Invenção O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld…

Introdução O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de sinais elétricos. O termo vem de transfer- resistor (resistor/resistência de transferência), como era conhecido pelos seus inventores. Transistores com diferentes encapsulamentos1. O processo de transferência de resistência, no caso de…