Transistor De Ujt

elétricos distintos, foram desenvolvidos, ao longo dos anos métodos para o tratamento de grandes potências. Uma revisão histórica da Eletrônica de Potência, revela os acontecimentos mais significativos no desenvolvimento da tecnologia: 1940: Surge o transistor; 1957: SCR (600V / 35A) 1978: Tecnologia FET (100V / 25A) 1980: Surge o GTO (2500V / 1000A) 1982: Aparece o IGBT (400V / 20A) 1988: Advento do MCT (600 / 50A). Com o aparecimento dos componentes de alto rendimento, ótima…

 São transistores com altos valores nominais de tensão e corrente;  São normalmente utilizados na Eletrônica de Potência como chaves;  Principais tipos:  UJT’s  PUT  Possuem três terminais: um emissor (E) e duas bases (B1 e B2);  O emissor é feito de material Tipo P e as bases (corpo principal) de material Tipo N;  É utilizado como gerador de pulsos para dispositivos maiores como SCR’s e TRIAC’s.  São conhecidos como PUT;  A diferença em relação ao UJT,…

................................................................................................. 12 2.4.3 – O DIAC.................................................................................................................... 13 2.5 – O Transistor Bipolar de Junção (BJT) ........................................................................... 13 2.6 – Mosfet de Potência ......................................................................................................... 15 2.7 –

................................................................................................. 12 2.4.3 – O DIAC.................................................................................................................... 13 2.5 – O Transistor Bipolar de Junção (BJT) ........................................................................... 13 2.6 – Mosfet de Potência ......................................................................................................... 15 2.7 –

5*〖15〗^(-6)+41,25*〖10〗^(-6)=68,75*〖10〗^(-6) Psw = Wsw+F= 68,75*〖10〗^(-6)+1000=0,07 w Se a fonte de tensão na figura 1,6 for de 120 v e resistência de carga for de 10 Ω, calcule a perda de potencia por chaveamento quando tsw = 1,0µs e quando o transistor passar de ligado para desligado e vice versa com uma frequência de 5KHz. R - Wsh=1/6*Vcr*Ic*Ton Wsh=24*〖10〗^(-6) Ic=Vs/Rl=120/20=12 A Psh=24*〖10〗^(-6)*5000 Psh=1,2w.

SUMÁRIO 1 INTRODUÇÃO 4 2 ELETRÔNICA DE POTÊNCIA E SUAS APLICAÇÕES 5 3 TRANSFORMADORES DE PULSO 7 4 CONCLUSÃO 11 REFERÊNCIAS 12 1 INTRODUÇÃO A eletrônica de potência trata das aplicações de dispositivos semicondutores de potência, como tiristores e transistores, na conversão e no controle de energia elétrica em níveis altos de potência aplicados à indústria. Essa conversão é normalmente de AC para DC ou vice-versa, enquanto os parâmetros controlados são tensão, corrente e frequência.…

corrente constante). Transistor: estrutura interna; polarização; regiões de operação; interpretação da folha de dados; reta de carga e ponto de operação; configurações Ec, BC e CC. Características de impedâncias e ganho: transistor como chave; circuitos de polarização; fonte de alimentação; regulação de tensão e corrente. FET e MOSFET: estrutura interna e funcionamento; polarização; reta de carga e ponto de operação; circuitos de polarização; aplicações. Reguladores à transistor:…

dividirmos essa estrutura em duas partes, veremos que cada uma delas forma um transistor. O SCR (Silicon Controlled Rectifier) é conhecido como tiristor. O nome tiristor é proveniente do inglês THYRISTOR (thyratron + transistor, onde o thyratron é um retificador a gás usado antigamente). A aplicação principal do SCR está no chaveamento eletrônico, onde as tensões de bloqueio e controle de corrente de um transistor não são suficientes. Veja a seguir a estrutura…

dividirmos essa estrutura em duas partes, veremos que cada uma delas forma um transistor. O SCR (Silicon Controlled Rectifier) é conhecido como tiristor. O nome tiristor é proveniente do inglês THYRISTOR (thyratron + transistor, onde o thyratron é um retificador a gás usado antigamente). A aplicação principal do SCR está no chaveamento eletrônico, onde as tensões de bloqueio e controle de corrente de um transistor não são suficientes. Veja a seguir a estrutura das quatro…

................................................................................................. 12 2.4.3 – O DIAC.................................................................................................................... 13 2.5 – O Transistor Bipolar de Junção (BJT) ........................................................................... 13 2.6 – Mosfet de Potência ......................................................................................................... 15 2.7 –